黑森尔电子
BOM

IXFT21N50Q

500V|21A (Tc)|280W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 500V 21A TO-268

规格参数

品牌
IXYS
封装
TO-268
包装方式
—

库存总量

319个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerIXYS
SeriesHiPerFET™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)280W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-268
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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数据手册与文档

ixft21n50q.pdf

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