黑森尔电子
BOM

ZXMN6A11DN8TC

60V|2.5A|1.8W
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
包装方式
—

库存总量

464个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 40V
Power - Max1.8W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

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数据手册与文档

zxmn6a11dn8tc.pdf

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