ZXMN3F31DN8TA
30V|5.7A|1.8W
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MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
规格参数
- 品牌
- Diodes Incorporated
- 封装
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 包装方式
- —
库存总量
1,514个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | Diodes Incorporated | |
| Series | - | |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | |
| FET Feature | Logic Level Gate | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V | |
| Power - Max | 1.8W | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Supplier Device Package | 8-SO |
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数据手册与文档
zxmn3f31dn8ta.pdf
PDF文档 · 8 pages
