黑森尔电子
BOM

ZXMN3A01FQTA

30 V|1.8A (Ta)|625mW (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
SOT-23-3
包装方式
—

库存总量

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12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)625mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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