YQ3MM10BTFTR
100 V|3A
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TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A
规格参数
- 品牌
- Rohm Semiconductor
- 封装
- SOD-123F
- 包装方式
- —
库存总量
9,000个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | Rohm Semiconductor | |
| Series | - | |
| Diode Type | Schottky | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A | |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770 mV @ 3 A | |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 100 V | |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package / Case | SOD-123F | |
| Supplier Device Package | PMDU | |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
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