黑森尔电子
BOM

STW33N60M2

600V|26A (Tc)|190W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 600V 26A TO-247

规格参数

品牌
STMicroelectronics
封装
TO-247
包装方式
—

库存总量

1,571个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerSTMicroelectronics
SeriesMDmesh™ II Plus
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.5nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1781pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-3

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数据手册与文档

stf33n60m2.pdf

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