黑森尔电子
BOM

SPD30N06S2-23

55V|30A (Tc)|-
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
P-TO252-3
包装方式
—

库存总量

332个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesOptiMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageP-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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