黑森尔电子
BOM

S4PJHM3_A-I

600V|4A
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DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

规格参数

品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division
封装
TO-277, 3-PowerDFN
包装方式
—

库存总量

198个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerVishay Semiconductor Diodes Division
SeriesAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Diode TypeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1V @ 4A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device PackageTO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C

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数据手册与文档

s4pmhm3-86a.pdf

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