黑森尔电子
BOM

RX3R10BBHC16

150 V|105A (Tc)|181W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M

规格参数

品牌
Rohm Semiconductor
封装
TO-220AB
包装方式
—

库存总量

2,964个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerRohm Semiconductor
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7550 pF @ 75 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)181W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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