黑森尔电子
BOM

RF6E065BNTCR

30V|6.5A (Ta)|910mW (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

RF6E065BN IS LOW ON-RESISTANCE A

规格参数

品牌
Rohm Semiconductor
封装
TUMT6
包装方式
—

库存总量

3,756个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerRohm Semiconductor
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.3nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)910mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTUMT6
Package / Case6-SMD, Flat Leads

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