黑森尔电子
BOM

RDD050N20TL

200V|5A (Ta)|20W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

规格参数

品牌
Rohm Semiconductor
封装
CPT3
包装方式
—

库存总量

169个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerRohm Semiconductor
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds292pF @ 10V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageCPT3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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数据手册与文档

rdd050n20tl.pdf

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