PMDPB38UNE-115
20V|4A|510mW
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MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
规格参数
- 品牌
- NXP
- 封装
- 6-UDFN Exposed Pad
- 包装方式
- —
库存总量
357个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | NXP USA Inc. | |
| Series | - | |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | |
| FET Feature | Logic Level Gate | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V | |
| Power - Max | 510mW | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Supplier Device Package | DFN2020-6 |
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数据手册与文档
pmdpb38une-115.pdf
PDF文档 · 14 pages
