黑森尔电子
BOM

PDTC114ES-126

50V|100mA|500mW
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

规格参数

品牌
NXP
封装
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
包装方式
—

库存总量

298个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerNXP USA Inc.
Series-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA
Frequency - Transition-
Power - Max500mW
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device PackageTO-92-3

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数据手册与文档

pdtc144es-126.pdf

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