NXPSC04650D6J
650 V|4A
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DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
规格参数
- 品牌
- WeEn Semiconductors
- 封装
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 包装方式
- —
库存总量
0个
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起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | WeEn Semiconductors | |
| Series | - | |
| Diode Type | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A | |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A | |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V | |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Supplier Device Package | DPAK | |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
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