NDC632P_1
20V|2.7A (Ta)|1.6W (Ta)
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MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
规格参数
- 品牌
- ON Semiconductor
- 封装
- SuperSOT™-6
- 包装方式
- —
库存总量
101个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Series | - | |
| FET Type | P-Channel | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 2.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
| Vgs (Max) | -8V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V | |
| FET Feature | - | |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 | |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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数据手册与文档
ndc632p.pdf
PDF文档 · 7 pages
