黑森尔电子
BOM

JANSL2N5152U3

80 V|2 A|1 W
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

RH POWER BJT

规格参数

品牌
Microchip Technology
封装
3-SMD, No Lead
包装方式
—

库存总量

0个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerMicrochip Technology
Series-
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 2.5A, 5V
Power - Max1 W
Frequency - Transition-
Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-SMD, No Lead
Supplier Device PackageU3

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