黑森尔电子
BOM

IXTA3N50D2-TRL

500 V|3A (Tj)|125W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

规格参数

品牌
IXYS
封装
TO-263 (D2PAK)
包装方式
—

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认证与授权

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技术规格

ManufacturerIXYS
SeriesDepletion
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070 pF @ 25 V
FET FeatureDepletion Mode
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263 (D2PAK)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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