黑森尔电子
BOM

IXTA3N120TRL

1200V|3A (Tc)|200W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

规格参数

品牌
IXYS
封装
TO-263 (IXTA)
包装方式
—

库存总量

21,972个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerIXYS
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)200W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263 (IXTA)
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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