黑森尔电子
BOM

IXFN56N90P

900V|56A (Tc)|1000W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

规格参数

品牌
IXYS
封装
SOT-227B
包装方式
—

库存总量

552个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerIXYS
SeriesPolar™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs375nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1000W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Supplier Device PackageSOT-227B
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC

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数据手册与文档

ixfn56n90p.pdf

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