黑森尔电子
BOM

IRLR8103TR

30V|89A (Ta)|89W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 30V 89A DPAK

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
D-Pak
包装方式
—

库存总量

133个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C89A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)89W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD-Pak
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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数据手册与文档

irlr8103tr.pdf

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