黑森尔电子
BOM

IRL3502

20V|110A (Tc)|140W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
TO-220AB
包装方式
—

库存总量

179个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4700pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)140W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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数据手册与文档

irl3502l.pdf

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