黑森尔电子
BOM

IRFU18N15D

150V|18A (Tc)|110W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
IPAK (TO-251)
包装方式
—

库存总量

379个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageIPAK (TO-251)
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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数据手册与文档

irfr18n15dtrr.pdf

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