黑森尔电子
BOM

IRFH7911TR2PBF

30V|13A, 28A|2.4W, 3.4W
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
18-PowerVQFN
包装方式
—

库存总量

263个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V
Power - Max2.4W, 3.4W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case18-PowerVQFN
Supplier Device PackagePQFN (5x6)

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