IRF9952TR
30V|3.5A, 2.3A|2W
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
规格参数
- 品牌
- Infineon Technologies
- 封装
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 包装方式
- —
库存总量
423个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Series | HEXFET® | |
| FET Type | N and P-Channel | |
| FET Feature | Logic Level Gate | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V | |
| Power - Max | 2W | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Supplier Device Package | 8-SO |
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数据手册与文档
irf9952tr.pdf
PDF文档 · 10 pages
