黑森尔电子
BOM

IRF6611TR1

30V|32A (Ta), 150A (Tc)|3.9W (Ta), 89W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
DIRECTFET™ MX
包装方式
—

库存总量

408个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4860pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.9W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDIRECTFET™ MX
Package / CaseDirectFET™ Isometric MX

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数据手册与文档

irf6611tr1.pdf

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