黑森尔电子
BOM

IRF3515L

150V|41A (Tc)|200W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 150V 41A TO-262

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
TO-262
包装方式
—

库存总量

398个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)200W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-262
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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数据手册与文档

irf3515strr.pdf

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