黑森尔电子
BOM

IPW90R500C3XKSA1

900V|11A (Tc)|156W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 900V TO-247

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO247-3
包装方式
—

库存总量

177个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesCoolMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 740µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)156W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO247-3
Package / CaseTO-247-3

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