黑森尔电子
BOM

IPW50R350CPFKSA1

550V|10A (Tc)|89W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO247-3
包装方式
—

库存总量

118个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesCoolMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)550V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 370µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)89W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO247-3
Package / CaseTO-247-3

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