黑森尔电子
BOM

IPP65R090CFD7XKSA1

650 V|25A (Tc)|127W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

HIGH POWER_NEW

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO220-3
包装方式
—

库存总量

600个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesCoolMOS™ CFD7
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2513 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)127W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO220-3
Package / CaseTO-220-3

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