黑森尔电子
BOM

IPP034N03LGHKSA1

30V|80A (Tc)|94W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO220-3-1
包装方式
—

库存总量

186个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesOptiMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5300pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)94W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO220-3-1
Package / CaseTO-220-3

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