黑森尔电子
BOM

IPD70N12S311ATMA2

120 V|70A (Tc)|125W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET_(120V 300V)

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO252-3-11
包装方式
—

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认证与授权

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4355 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-TO252-3-11
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

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