黑森尔电子
BOM

IPD060N03LGATMA1

30V|50A (Tc)|56W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO252-3
包装方式
—

库存总量

237个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesOptiMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)56W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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数据手册与文档

ipu060n03l-g.pdf

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