IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
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MOSFET N-CH BARE DIE
规格参数
- 品牌
- Infineon Technologies
- 封装
- -
- 包装方式
- —
库存总量
267个
12小时发货
起订量:1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Series | - | |
| FET Type | - | |
| Technology | - | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
| Vgs (Max) | - | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | |
| FET Feature | - | |
| Power Dissipation (Max) | - | |
| Operating Temperature | - | |
| Mounting Type | - | |
| Supplier Device Package | - | |
| Package / Case | - |
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