黑森尔电子
BOM

IPC60N04S4L06ATMA1

40V|60A (Tc)|63W (Tc)
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MOSFET N-CH 8TDSON

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TDSON-8-23
包装方式
—

库存总量

128个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)63W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-23
Package / Case8-PowerVDFN

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数据手册与文档

ipc60n04s4l06atma1.pdf

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