黑森尔电子
BOM

IPB80N06S2L06ATMA2

55V|80A (Tc)|250W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
PG-TO263-3-2
包装方式
—

库存总量

226个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesOptiMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)250W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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数据手册与文档

ipp80n06s2l06aksa2.pdf

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