黑森尔电子
BOM

IPB60R125C6ATMA1

600V|30A (Tc)|219W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 600V 30A TO263

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
D²PAK (TO-263AB)
包装方式
—

库存总量

332个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesCoolMOS™
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2127pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)219W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263AB)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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