ICPB2002-1-110I
28 V|-|12W
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DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
规格参数
- 品牌
- Microchip Technology
- 封装
- Die
- 包装方式
- —
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起订量:1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | Microchip Technology | |
| Series | - | |
| Transistor Type | GaN HEMT | |
| Frequency | 12GHz | |
| Gain | 10dB | |
| Voltage - Test | 28 V | |
| Current Rating (Amps) | - | |
| Noise Figure | - | |
| Current - Test | 125 mA | |
| Power - Output | 12W | |
| Voltage - Rated | 28 V | |
| Package / Case | Die | |
| Supplier Device Package | Die |
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