黑森尔电子
BOM

ICPB2002-1-110I

28 V|-|12W
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT

规格参数

品牌
Microchip Technology
封装
Die
包装方式
—

库存总量

0个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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  • 严格的进料品质检验
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技术规格

ManufacturerMicrochip Technology
Series-
Transistor TypeGaN HEMT
Frequency12GHz
Gain10dB
Voltage - Test28 V
Current Rating (Amps)-
Noise Figure-
Current - Test125 mA
Power - Output12W
Voltage - Rated28 V
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

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