黑森尔电子
BOM

FQP17N08_1

80V|16.5A (Tc)|65W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220

规格参数

品牌
ON Semiconductor
封装
TO-220-3
包装方式
—

库存总量

293个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerON Semiconductor
SeriesQFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)65W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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数据手册与文档

fqp17n08.pdf

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