黑森尔电子
BOM

FQD1N60TM_1

600V|1A (Tc)|2.5W (Ta), 30W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

规格参数

品牌
ON Semiconductor
封装
D-Pak
包装方式
—

库存总量

361个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerON Semiconductor
SeriesQFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 30W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD-Pak
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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数据手册与文档

fqd1n60tm.pdf

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