黑森尔电子
BOM

FQB34N20LTM

200V|31A (Tc)|3.13W (Ta), 180W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

规格参数

品牌
Fairchild/ON Semiconductor
封装
D2PAK (TO-263AB)
包装方式
—

库存总量

17,436个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerFairchild/ON Semiconductor
SeriesQFET?
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.13W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK (TO-263AB)
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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数据手册与文档

fqb34n20ltm.pdf

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