黑森尔电子
BOM

FQB32N12V2TM_1

120V|32A (Tc)|3.75W (Ta), 150W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK

规格参数

品牌
ON Semiconductor
封装
D²PAK (TO-263AB)
包装方式
—

库存总量

124个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerON Semiconductor
SeriesQFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1860pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.75W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263AB)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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数据手册与文档

fqb32n12v2tm.pdf

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