黑森尔电子
BOM

FDS6609A_1

30V|6.3A (Ta)|2.5W (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

规格参数

品牌
ON Semiconductor
封装
8-SOIC
包装方式
—

库存总量

313个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerON Semiconductor
SeriesPowerTrench®
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds930pF @ 15V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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数据手册与文档

fds6609a.pdf

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