黑森尔电子
BOM

FDME1024NZT_1

20V|3.8A|600mW
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

规格参数

品牌
ON Semiconductor
封装
6-UFDFN Exposed Pad
包装方式
—

库存总量

379个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerON Semiconductor
SeriesPowerTrench®
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Power - Max600mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-MicroFET (1.6x1.6)

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数据手册与文档

fdme1024nzt.pdf

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