FDB86102LZ_1
100V|8.3A (Ta), 30A (Tc)|3.1W (Ta)
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MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
规格参数
- 品牌
- ON Semiconductor
- 封装
- TO-263AB
- 包装方式
- —
库存总量
198个
12小时发货
起订量：1 个
认证与授权
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技术规格
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Series | PowerTrench® | |
| FET Type | N-Channel | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 30A (Tc) | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275pF @ 50V | |
| FET Feature | - | |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) | |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Supplier Device Package | TO-263AB | |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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数据手册与文档
fdb86102lz.pdf
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