黑森尔电子
BOM

DMT6006LSS-13

60 V|11.9A (Ta)|1.38W (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
8-SO
包装方式
—

库存总量

7,500个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2162 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.38W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SO
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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