黑森尔电子
BOM

DMNH6010SCTB-13

60 V|133A (Tc)|5W (Ta), 375W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
TO-263AB (D2PAK)
包装方式
—

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认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C133A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2692 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)5W (Ta), 375W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263AB (D2PAK)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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