黑森尔电子
BOM

DMN6013LFG-13

60V|10.3A (Ta), 45A (Tc)|1W (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
PowerDI3333-8
包装方式
—

库存总量

362个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55.4nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2577pF @ 30V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerDI3333-8
Package / Case8-PowerVDFN

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数据手册与文档

dmn6013lfg-13.pdf

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