黑森尔电子
BOM

DMN2055UW-7

20 V|3.1A (Ta)|520mW (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
SOT-323
包装方式
—

库存总量

2,280个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)520mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-323
Package / CaseSC-70, SOT-323

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