黑森尔电子
BOM

DMN2022UFDF-7

20V|7.9A (Ta)|660mW (Ta)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

规格参数

品牌
Diodes Incorporated
封装
6-UDFN2020 (2x2)
包装方式
—

库存总量

25,181个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerDiodes Incorporated
Series-
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 8V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds907pF @ 10V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)660mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-UDFN2020 (2x2)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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数据手册与文档

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