黑森尔电子
BOM

AUIRFU4292

250V|9.3A (Tc)|100W (Tc)
原装正品全球货源快速交付品质认证技术支持批量优惠

MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK

规格参数

品牌
Infineon Technologies
封装
I-PAK
包装方式
—

库存总量

129个

12小时发货

起订量:1 个

认证与授权

产品视频

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技术规格

ManufacturerInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs345mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds705pF @ 25V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)100W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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